Raziskovalci iz Univerze Miami so nedavno objavili, da jim je uspelo izdelati fleksibilno elektroniko (vezje z električnimi elmenti na fleksibilnem substratu), na kateri so otočki kristalnega silicija. To omogoča, da je elektronski elementi izdelani s prirejeno CMOS tehnologijo, kar je bistvena razlika od fleksibilne elektronike z materiali iz organskih snovi. Pri slednjih namreč nastopa problem majhne mobilnosti nosilcev naboja, kar pomeni, da so fleksibilna vezja iz organskih materialov večinoma počasna (mobilnosti max. 1 cm^2/Vs). Z izdelavo elementov iz kristalnega silicija so uspeli doseči mobilnosti velikosti 130 cm^2/Vs za p-tip polprevodnikov in cca. 370 cm^2/Vs za n-tip polprevodnike. To pomeni, da so tako izdelani elementi bistveno hitrejši kot elementi iz organskih materialov. Tipične ON/OFF hitrosti so velikosti 10^6. Elementi delajo pri napetostih < 5 V.
(Kot kaže, gredo tehnologije fleksibilne elektronike v več smeri. V končni fazi bo pač odločala cena in karakteristika. Kot vedno.)
V osnovi se proces izdelave vezij na fleksibilnem substratu sestoji iz dveh faz. V prvi fazi izdelajo sturkture na osnovnem pomožnem substratu, ki ga potem zjedkajo, tako, da ostane le tanek film s strukturami in povezami. Nato spodaj nanesejo tanko plast Cr/SiO2 (3 nm/30 nm) in nato izdelajo plast iz poli(dimethylsiloxan) a (PDMS) , ki je fleksibilna. To plast predhodno raztegnejo in nanjo položijo vezje ter ustvarijo močno povezavo.
Kaj si lahko obetamo od te tehnologije? Morda najzanimivejše aplikacije bodo v smeri elektronskih vezij za vnos v človeško telo
Več o tej zanimivi tehnologijo si preberite v
http://www6.miami.edu/UMH/CDA/UMH_Main/1,1770,2593-1;65791-3,00.html
ali v originalnem viru:
Materials and Noncoplanar Mesh Designs for Integrated Circuits with Linear Elastic Responses to Extreme Mechanical Deformations
Poglejte še video raztegovanja vezja. VIDEO.
